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IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXTH) Outline
g fs
V DS = 30 V, I D =10 A, Note 1
4.0
7.5
S
C iss
C oss
V GS = -10 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
2500
400
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
100
35
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V to -10 V, V DS = 0.5 ? V DSX
I D = 10 A, R G = 4.7 Ω (External),
85
110
75
ns
ns
ns
Dim.
Terminals:
1 - Gate 2 - Drain
3 - Source Tab - Drain
Millimeter Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSX , I D = 0.5 ? I D25
125
35
51
0.25
0.31
nC
nC
nC
K/W
K/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
E
e
15.75
5.20
16.26
5.72
.610
0.205
.640
0.225
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L
L1
? P
Q
R
19.81
3.55
5.89
4.32
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.780
.140
0.232
.170
.800
.177
.144
0.252
.216
V SD
I F = I D25 , V GS = -10 V, Note 1
0.85
1.5
V
S
6.15
BSC
242
BSC
t rr
I F = 20A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
v GS = -10 V
510
ns
TO-268 (IXTTH) Outline
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Terminals:
1 - Gate 2 - Drain
3 - Source Tab - Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
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IXTT24N50Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT24P20 功能描述:MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT26N50P 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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